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功能描述:MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT23
制造商:on semiconductor
系列:-
包装:剪切带(CT)
零件状态:Digi-Key 停止供應
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):220mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):2.4nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):27pF @ 25V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):360mW(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.5 欧姆 @ 220mA,10V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:SOT-23-3
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本零件编号:BSS138
标准包装:1